FCU600N65S3R0 - аналоги и даташиты транзистора

 

FCU600N65S3R0 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FCU600N65S3R0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для FCU600N65S3R0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCU600N65S3R0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  onsemi
 fcu600n65s3r0.pdf pdf_icon

FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 6 A, 600 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailore

Другие MOSFET... FCPF190N65S3R0L , FCPF250N65S3R0L , FCPF360N65S3R0L , FCPF36N60NT , FCPF380N60_F152 , FCPF600N60ZL1 , FCPF600N65S3R0L , FCU360N65S3R0 , IRF1010E , FDB0105N407L , FDB0165N807L , FDB0170N607L , FDB0190N807L , FDB0260N1007L , FDB0300N1007L , FDB045AN08A0-F085 , FDB0630N1507L .

History: IGO60R070D1 | IGOT60R070D1

 

 
Back to Top

 


 
.