FDB1D7N10CL7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDB1D7N10CL7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 268 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5025 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00175 Ohm
Encapsulados: D2-PAK-7L
Búsqueda de reemplazo de FDB1D7N10CL7 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
FDB1D7N10CL7 datasheet
fdb1d7n10cl7.pdf
FDB1D7N10CL7 N-Channel Shielded Gate POWERTRENCH) MOSFET 100 V, 268 A, 1.7 mW Description www.onsemi.com This N-Channel MOSFET is produced using ON Semiconductor s advanced POWERTRENCH process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state VDS ID MAX rDS(on) MAX resistance and yet maintain superior switching performance with best in
Otros transistores... FDB0260N1007L , FDB0300N1007L , FDB045AN08A0-F085 , FDB0630N1507L , FDB0690N1507L , FDB070AN06A0-F085 , FDB075N15A-F085 , FDB14AN06LA0-F085 , 5N65 , FDB2532-F085 , FDB2552_F085 , FDB28N30 , FDB3632-F085 , FDB3652-F085 , FDB3672-F085 , FDB86360-F085 , FDB86363-F085 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450