FDB1D7N10CL7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDB1D7N10CL7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 268 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5025 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00175 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK-7L

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FDB1D7N10CL7 Datasheet (PDF)

..1. Size:352K onsemi
fdb1d7n10cl7.pdf

FDB1D7N10CL7N-Channel Shielded GatePOWERTRENCH) MOSFET100 V, 268 A, 1.7 mWDescriptionwww.onsemi.comThis N-Channel MOSFET is produced using ON Semiconductorsadvanced POWERTRENCH process that incorporates Shielded Gatetechnology. This process has been optimized to minimize on-stateVDS ID MAX rDS(on) MAXresistance and yet maintain superior switching performance with bestin

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History: FCH041N65F-F085

Liste

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