FDB1D7N10CL7 Todos los transistores

 

FDB1D7N10CL7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB1D7N10CL7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 268 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5025 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00175 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK-7L
 

 Búsqueda de reemplazo de FDB1D7N10CL7 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDB1D7N10CL7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  onsemi
 fdb1d7n10cl7.pdf pdf_icon

FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7N-Channel Shielded GatePOWERTRENCH) MOSFET100 V, 268 A, 1.7 mWDescriptionwww.onsemi.comThis N-Channel MOSFET is produced using ON Semiconductorsadvanced POWERTRENCH process that incorporates Shielded Gatetechnology. This process has been optimized to minimize on-stateVDS ID MAX rDS(on) MAXresistance and yet maintain superior switching performance with bestin

Otros transistores... FDB0260N1007L , FDB0300N1007L , FDB045AN08A0-F085 , FDB0630N1507L , FDB0690N1507L , FDB070AN06A0-F085 , FDB075N15A-F085 , FDB14AN06LA0-F085 , 4435 , FDB2532-F085 , FDB2552_F085 , FDB28N30 , FDB3632-F085 , FDB3652-F085 , FDB3672-F085 , FDB86360-F085 , FDB86363-F085 .

History: R8005ANX | WMP07N60C4 | CRST055N08N | MTB3D0N03BH8 | SFP055N80C2 | RCX220N25 | IRF7402

 

 
Back to Top

 


 
.