Справочник MOSFET. FDB1D7N10CL7

 

FDB1D7N10CL7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDB1D7N10CL7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 268 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5025 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00175 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK-7L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB1D7N10CL7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  onsemi
 fdb1d7n10cl7.pdf pdf_icon

FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7N-Channel Shielded GatePOWERTRENCH) MOSFET100 V, 268 A, 1.7 mWDescriptionwww.onsemi.comThis N-Channel MOSFET is produced using ON Semiconductorsadvanced POWERTRENCH process that incorporates Shielded Gatetechnology. This process has been optimized to minimize on-stateVDS ID MAX rDS(on) MAXresistance and yet maintain superior switching performance with bestin

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FHP13N50C | IRFH8330PBF | TMAN11N90AZ | IGT60R190D1S | AP70WN2K8H | RF4E070GN | FQD5N60C

 

 
Back to Top

 


 
.