Справочник MOSFET. FDB1D7N10CL7

 

FDB1D7N10CL7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDB1D7N10CL7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 268 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5025 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00175 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK-7L

 Аналог (замена) для FDB1D7N10CL7

 

 

FDB1D7N10CL7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  onsemi
 fdb1d7n10cl7.pdf

FDB1D7N10CL7 FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7N-Channel Shielded GatePOWERTRENCH) MOSFET100 V, 268 A, 1.7 mWDescriptionwww.onsemi.comThis N-Channel MOSFET is produced using ON Semiconductorsadvanced POWERTRENCH process that incorporates Shielded Gatetechnology. This process has been optimized to minimize on-stateVDS ID MAX rDS(on) MAXresistance and yet maintain superior switching performance with bestin

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STP110N7F6 | STD35P6LLF6

 

 
Back to Top