FDB1D7N10CL7 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDB1D7N10CL7 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDB1D7N10CL7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 268 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5025 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00175 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK-7L
 

 Аналог (замена) для FDB1D7N10CL7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB1D7N10CL7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  onsemi
 fdb1d7n10cl7.pdf pdf_icon

FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7N-Channel Shielded GatePOWERTRENCH) MOSFET100 V, 268 A, 1.7 mWDescriptionwww.onsemi.comThis N-Channel MOSFET is produced using ON Semiconductorsadvanced POWERTRENCH process that incorporates Shielded Gatetechnology. This process has been optimized to minimize on-stateVDS ID MAX rDS(on) MAXresistance and yet maintain superior switching performance with bestin

Другие MOSFET... FDB0260N1007L , FDB0300N1007L , FDB045AN08A0-F085 , FDB0630N1507L , FDB0690N1507L , FDB070AN06A0-F085 , FDB075N15A-F085 , FDB14AN06LA0-F085 , IRF4905 , FDB2532-F085 , FDB2552_F085 , FDB28N30 , FDB3632-F085 , FDB3652-F085 , FDB3672-F085 , FDB86360-F085 , FDB86363-F085 .

History: FDB2532-F085 | TPM603NT3 | IRHM9250 | NTMFS5C604NLT3G | AONE36132

 

 
Back to Top

 


 
.