FDB1D7N10CL7 - описание и поиск аналогов

 

FDB1D7N10CL7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB1D7N10CL7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 268 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5025 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00175 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK-7L

Аналог (замена) для FDB1D7N10CL7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB1D7N10CL7 даташит

 ..1. Size:352K  onsemi
 fdb1d7n10cl7.pdf pdf_icon

FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7 N-Channel Shielded Gate POWERTRENCH) MOSFET 100 V, 268 A, 1.7 mW Description www.onsemi.com This N-Channel MOSFET is produced using ON Semiconductor s advanced POWERTRENCH process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state VDS ID MAX rDS(on) MAX resistance and yet maintain superior switching performance with best in

Другие MOSFET... FDB0260N1007L , FDB0300N1007L , FDB045AN08A0-F085 , FDB0630N1507L , FDB0690N1507L , FDB070AN06A0-F085 , FDB075N15A-F085 , FDB14AN06LA0-F085 , 5N65 , FDB2532-F085 , FDB2552_F085 , FDB28N30 , FDB3632-F085 , FDB3652-F085 , FDB3672-F085 , FDB86360-F085 , FDB86363-F085 .

History: SDF450

 

 

 

 

↑ Back to Top
.