FDB28N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDB28N30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.129 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDB28N30

FDB28N30 Datasheet (PDF)

..1. Size:665K onsemi
fdb28n30.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

0.1. Size:314K fairchild semi
fdb28n30tm.pdf

June 2007UniFETTMFDB28N30tmN-Channel MOSFET 300V, 28A, 0.129Features Description RDS(on) = 0.108 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 14A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 39nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 35pF)This advanced technology has been especia

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Liste

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