FDB28N30 Todos los transistores

 

FDB28N30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB28N30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.129 Ohm

Encapsulados: TO263

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FDB28N30 datasheet

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FDB28N30

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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FDB28N30

June 2007 UniFETTM FDB28N30 tm N-Channel MOSFET 300V, 28A, 0.129 Features Description RDS(on) = 0.108 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 14A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 39nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 35pF) This advanced technology has been especia

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History: 2SK2967 | BRCS90P03DP

 

 

 

 

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