Справочник MOSFET. FDB28N30

 

FDB28N30 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDB28N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 135 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.129 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для FDB28N30

 

 

FDB28N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:665K  onsemi
 fdb28n30.pdf

FDB28N30 FDB28N30

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 0.1. Size:314K  fairchild semi
 fdb28n30tm.pdf

FDB28N30 FDB28N30

June 2007UniFETTMFDB28N30tmN-Channel MOSFET 300V, 28A, 0.129Features Description RDS(on) = 0.108 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 14A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 39nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 35pF)This advanced technology has been especia

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top