FDB9506L-F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDB9506L-F085
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
Encapsulados: TO263
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FDB9506L-F085 datasheet
fdb9506l-f085.pdf
FDB9506L-F085 Power MOSFET -40 V, 3.6 mW, -110 A, Single P-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3.6
fdb9503l-f085.pdf
FDB9503L-F085 P-Channel PowerTrench MOSFET S D - 40 V, - 110 A, 2.6 m G Features Typical RDS(on) = 2.0 m at VGS = - 10V, ID = - 80 A Typical Qg(tot) = 196 nC at VGS = - 10V, ID = - 80 A G S UIS Capability D RoHS Compliant TO-263AB Qualified to AEC Q101 FDB SERIES Applications Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers Electr
fdb9509l-f085.pdf
FDB9509L-F085 Power MOSFET, Single P-Channel -40 V, -83 A, 8.0 mW Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 8.0 mW @ -10 V -40 V -83 A 12.5 mW @ -4.5 V MAXIM
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