FDB9506L-F085 Todos los transistores

 

FDB9506L-F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB9506L-F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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FDB9506L-F085 Datasheet (PDF)

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FDB9506L-F085

FDB9506L-F085Power MOSFET-40 V, 3.6 mW, -110 A, Single P-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS3.6

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FDB9506L-F085

FDB9503L-F085P-Channel PowerTrench MOSFETSD- 40 V, - 110 A, 2.6 mGFeatures Typical RDS(on) = 2.0 m at VGS = - 10V, ID = - 80 A Typical Qg(tot) = 196 nC at VGS = - 10V, ID = - 80 AGS UIS CapabilityD RoHS CompliantTO-263AB Qualified to AEC Q101 FDB SERIESApplications Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers Electr

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FDB9506L-F085

FDB9509L-F085Power MOSFET, SingleP-Channel-40 V, -83 A, 8.0 mWFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant8.0 mW @ -10 V-40 V -83 A12.5 mW @ -4.5 VMAXIM

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History: MS8N50 | IXUC100N055

 

 
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