FDB9506L-F085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDB9506L-F085
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для FDB9506L-F085
FDB9506L-F085 Datasheet (PDF)
fdb9506l-f085.pdf

FDB9506L-F085Power MOSFET-40 V, 3.6 mW, -110 A, Single P-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS3.6
fdb9503l-f085.pdf

FDB9503L-F085P-Channel PowerTrench MOSFETSD- 40 V, - 110 A, 2.6 mGFeatures Typical RDS(on) = 2.0 m at VGS = - 10V, ID = - 80 A Typical Qg(tot) = 196 nC at VGS = - 10V, ID = - 80 AGS UIS CapabilityD RoHS CompliantTO-263AB Qualified to AEC Q101 FDB SERIESApplications Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers Electr
fdb9509l-f085.pdf

FDB9509L-F085Power MOSFET, SingleP-Channel-40 V, -83 A, 8.0 mWFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant8.0 mW @ -10 V-40 V -83 A12.5 mW @ -4.5 VMAXIM
Другие MOSFET... FDB86569-F085 , FDB9403-F085 , FDB9403L-F085 , FDB9406-F085 , FDB9406L-F085 , FDB9409-F085 , FDB9409L-F085 , FDB9503L-F085 , IRFZ46N , FDB9509L-F085 , FDBL0200N100 , FDBL0240N100 , FDBL0260N100 , FDBL86062-F085 , FDBL86063 , FDBL86063-F085 , FDBL86066-F085 .
History: ME4457-G | KI5513DC | STB12NM50FDT4 | FDD10AN06A0_F085 | NP50P03YDG | IXTQ14N60P
History: ME4457-G | KI5513DC | STB12NM50FDT4 | FDD10AN06A0_F085 | NP50P03YDG | IXTQ14N60P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet