STP3NA50FI Todos los transistores

 

STP3NA50FI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP3NA50FI

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: ISOWATT220

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STP3NA50FI datasheet

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STP3NA50FI

STP3NA50 STP3NA50FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP3NA50 500 V

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STP3NA50FI

STP3NA90 STP3NA90FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(o n) D STP3NA90 900 V

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STP3NA50FI

STP3NA60 STP3NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP3NA60 600 V

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STP3NA50FI

STP3NA80 STP3NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP3NA80 800 V

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