STP3NA50FI - описание и поиск аналогов

 

STP3NA50FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP3NA50FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для STP3NA50FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP3NA50FI даташит

 6.1. Size:196K  st
 stp3na50.pdf pdf_icon

STP3NA50FI

STP3NA50 STP3NA50FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP3NA50 500 V

 8.1. Size:59K  st
 stp3na90-.pdf pdf_icon

STP3NA50FI

STP3NA90 STP3NA90FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(o n) D STP3NA90 900 V

 8.2. Size:436K  st
 stp3na60.pdf pdf_icon

STP3NA50FI

STP3NA60 STP3NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP3NA60 600 V

 8.3. Size:383K  st
 stp3na80.pdf pdf_icon

STP3NA50FI

STP3NA80 STP3NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP3NA80 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP3N100FI , STP3N100XI , STP3N50XI , STP3N60FI , STP3N60XI , STP3N80XI , STP3N90 , STP3N90FI , IRFB7545 , STP3NA80 , STP3NA80FI , STP40N05 , STP40N05FI , STP40N10 , STP40N10FI , STP4N100 , STP4N100FI .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.