FDMC010N08C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDMC010N08C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 52 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 51 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 15 nC
   Tiempo de subida (tr): 3 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 381 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWER33

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FDMC010N08C Datasheet (PDF)

..1. Size:562K onsemi
fdmc010n08c.pdf

www.onsemi.comFDMC010N08CN-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 51 A, 10 mFeatures General Description Shielded Gate MOSFET TechnologyThis N-Channel MV MOSFET is produced using ONSemiconductors advanced PowerTrench process that Max rDS(on) = 10 m at VGS = 10 V, ID = 16 Aincorporates Shielded Gate technology. This process has been Max rDS(on) = 25 m at

9.1. Size:411K fairchild semi
fdmc0310as.pdf

January 2015FDMC0310ASN-Channel PowerTrench SyncFETTM30 V, 21 A, 4.4 mFeatures General DescriptionThe FDMC0310AS has been designed to minimize losses in Max rDS(on) = 4.4 m at VGS = 10 V, ID = 19 Apower conversion application. Advancements in both silicon and Max rDS(on) = 5.2 m at VGS = 4.5 V, ID = 17.5 Apackage technologies have been combined to offer the lowest

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Liste

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