FDMC010N08C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDMC010N08C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 381 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: POWER33

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FDMC010N08C datasheet

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FDMC010N08C

www.onsemi.com FDMC010N08C N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 51 A, 10 m Features General Description Shielded Gate MOSFET Technology This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor s advanced PowerTrench process that Max rDS(on) = 10 m at VGS = 10 V, ID = 16 A incorporates Shielded Gate technology. This process has been Max rDS(on) = 25 m at

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FDMC010N08C

January 2015 FDMC0310AS N-Channel PowerTrench SyncFETTM 30 V, 21 A, 4.4 m Features General Description The FDMC0310AS has been designed to minimize losses in Max rDS(on) = 4.4 m at VGS = 10 V, ID = 19 A power conversion application. Advancements in both silicon and Max rDS(on) = 5.2 m at VGS = 4.5 V, ID = 17.5 A package technologies have been combined to offer the lowest

Otros transistores... FDD9410L-F085, FDD9411-F085, FDD9411L-F085, FDD9507L-F085, FDD9509L-F085, FDD9510L-F085, FDD9511L-F085, FDG6332C-F085, 2SK3878, FDMC8010DC, FDMD8530, FDMD8540L, FDMD8560L, 2N7002NXAK, 2N7002NXBK, BUK6D120-40E, BUK6D120-60P