Справочник MOSFET. FDMC010N08C

 

FDMC010N08C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDMC010N08C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 381 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: POWER33
 

 Аналог (замена) для FDMC010N08C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMC010N08C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  onsemi
 fdmc010n08c.pdf pdf_icon

FDMC010N08C

www.onsemi.comFDMC010N08CN-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 51 A, 10 mFeatures General Description Shielded Gate MOSFET TechnologyThis N-Channel MV MOSFET is produced using ONSemiconductors advanced PowerTrench process that Max rDS(on) = 10 m at VGS = 10 V, ID = 16 Aincorporates Shielded Gate technology. This process has been Max rDS(on) = 25 m at

 9.1. Size:411K  fairchild semi
 fdmc0310as.pdf pdf_icon

FDMC010N08C

January 2015FDMC0310ASN-Channel PowerTrench SyncFETTM30 V, 21 A, 4.4 mFeatures General DescriptionThe FDMC0310AS has been designed to minimize losses in Max rDS(on) = 4.4 m at VGS = 10 V, ID = 19 Apower conversion application. Advancements in both silicon and Max rDS(on) = 5.2 m at VGS = 4.5 V, ID = 17.5 Apackage technologies have been combined to offer the lowest

Другие MOSFET... FDD9410L-F085 , FDD9411-F085 , FDD9411L-F085 , FDD9507L-F085 , FDD9509L-F085 , FDD9510L-F085 , FDD9511L-F085 , FDG6332C-F085 , IRFP260 , FDMC8010DC , FDMD8530 , FDMD8540L , FDMD8560L , 2N7002NXAK , 2N7002NXBK , BUK6D120-40E , BUK6D120-60P .

 

 
Back to Top

 


 
.