FDMC010N08C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDMC010N08C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 381 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: POWER33

Аналог (замена) для FDMC010N08C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMC010N08C даташит

 ..1. Size:562K  onsemi
 fdmc010n08c.pdf pdf_icon

FDMC010N08C

www.onsemi.com FDMC010N08C N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 51 A, 10 m Features General Description Shielded Gate MOSFET Technology This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor s advanced PowerTrench process that Max rDS(on) = 10 m at VGS = 10 V, ID = 16 A incorporates Shielded Gate technology. This process has been Max rDS(on) = 25 m at

 9.1. Size:411K  fairchild semi
 fdmc0310as.pdf pdf_icon

FDMC010N08C

January 2015 FDMC0310AS N-Channel PowerTrench SyncFETTM 30 V, 21 A, 4.4 m Features General Description The FDMC0310AS has been designed to minimize losses in Max rDS(on) = 4.4 m at VGS = 10 V, ID = 19 A power conversion application. Advancements in both silicon and Max rDS(on) = 5.2 m at VGS = 4.5 V, ID = 17.5 A package technologies have been combined to offer the lowest

Другие IGBT... FDD9410L-F085, FDD9411-F085, FDD9411L-F085, FDD9507L-F085, FDD9509L-F085, FDD9510L-F085, FDD9511L-F085, FDG6332C-F085, 2SK3878, FDMC8010DC, FDMD8530, FDMD8540L, FDMD8560L, 2N7002NXAK, 2N7002NXBK, BUK6D120-40E, BUK6D120-60P