FDMD8560L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDMD8560L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 93 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 92 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWER5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDMD8560L

FDMD8560L Datasheet (PDF)

..1. Size:688K onsemi
fdmd8560l.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

8.1. Size:676K fairchild semi
fdmd85100.pdf

March 2015FDMD85100Dual N-Channel PowerTrench MOSFETQ1: 100 V, 48A, 9.9 m Q2: 100 V, 48A, 9.9 mFeatures General DescriptionQ1: N-ChannelThis device includes two 100V N-Channel MOSFETs in a dual Power (5 mm X 6 mm) package. HS source and LS Drain Max rDS(on) = 9.9 m at VGS = 10 V, ID = 10.4 Ainternally connected for half/full bridge, low source inductance Max rDS(on

8.2. Size:706K onsemi
fdmd8530.pdf

8.3. Size:653K onsemi
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MOSFET Dual, N-Channel,POWERTRENCH)Q1: 40 V, 156 A, 1.5 mWQ2: 40 V, 156 A, 1.5 mWFDMD8540Lwww.onsemi.comGeneral DescriptionThis device includes two 40 V N-Channel MOSFETs in a dualVDS rDS(ON) MAX ID MAXPower (5 mm x 6 mm) package. HS source and LS drain internallyconnected for half/full bridge, low source inductance package, low40 V 1.5 mW @ 10 V 156 ArDS(on)/Qg FOM

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Liste

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