BUK7D25-40E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK7D25-40E
Código: 4C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT1220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUK7D25-40E
BUK7D25-40E Datasheet (PDF)
buk7d25-40e.pdf
BUK7D25-40E40 V, N-channel Trench MOSFET13 December 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 Side wettable flanks for optical solder i
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Liste
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