BUK7D25-40E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK7D25-40E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOT1220

Аналог (замена) для BUK7D25-40E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK7D25-40E даташит

 ..1. Size:313K  nxp
 buk7d25-40e.pdf pdf_icon

BUK7D25-40E

BUK7D25-40E 40 V, N-channel Trench MOSFET 13 December 2017 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 Side wettable flanks for optical solder i

Другие IGBT... BUK6D38-30E, BUK6D385-100E, BUK6D43-40P, BUK6D43-60E, BUK6D56-60E, BUK6D72-30E, BUK6D77-60E, BUK6D81-80E, NCEP15T14, BUK7J1R0-40H, BUK7J1R4-40H, BUK7K134-100E, BUK7K15-80E, BUK7K17-80E, BUK7K23-80E, BUK7K29-100E, BUK7K32-100E