Справочник MOSFET. BUK7D25-40E

 

BUK7D25-40E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK7D25-40E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT1220
 

 Аналог (замена) для BUK7D25-40E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK7D25-40E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  nxp
buk7d25-40e.pdfpdf_icon

BUK7D25-40E

BUK7D25-40E40 V, N-channel Trench MOSFET13 December 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 Side wettable flanks for optical solder i

Другие MOSFET... BUK6D38-30E , BUK6D385-100E , BUK6D43-40P , BUK6D43-60E , BUK6D56-60E , BUK6D72-30E , BUK6D77-60E , BUK6D81-80E , IRFP450 , BUK7J1R0-40H , BUK7J1R4-40H , BUK7K134-100E , BUK7K15-80E , BUK7K17-80E , BUK7K23-80E , BUK7K29-100E , BUK7K32-100E .

History: ZVN4525Z | JCS4N90VH | AP92T03GJ-HF | 2SK3684-01SJ | UT2302G-AE3-R | SVF7N60S | BLL1214-250R

 

 
Back to Top

 


 
.