BUK7D25-40E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BUK7D25-40E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: SOT1220
Аналог (замена) для BUK7D25-40E
BUK7D25-40E Datasheet (PDF)
buk7d25-40e.pdf

BUK7D25-40E40 V, N-channel Trench MOSFET13 December 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 Side wettable flanks for optical solder i
Другие MOSFET... BUK6D38-30E , BUK6D385-100E , BUK6D43-40P , BUK6D43-60E , BUK6D56-60E , BUK6D72-30E , BUK6D77-60E , BUK6D81-80E , AON6380 , BUK7J1R0-40H , BUK7J1R4-40H , BUK7K134-100E , BUK7K15-80E , BUK7K17-80E , BUK7K23-80E , BUK7K29-100E , BUK7K32-100E .
History: UT100N03G-K08-5060-R | SI5906DU | JCS640CH | SI6404DQ | RSH090N03TB1 | TPCF8201 | JCS640FH
History: UT100N03G-K08-5060-R | SI5906DU | JCS640CH | SI6404DQ | RSH090N03TB1 | TPCF8201 | JCS640FH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet