BUK7J1R0-40H Todos los transistores

 

BUK7J1R0-40H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK7J1R0-40H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1644 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT1023
 

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BUK7J1R0-40H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  nxp
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BUK7J1R0-40H

BUK7J1R0-40HN-channel 40 V, 1.0 m standard level MOSFET in LFPAK56E31 May 2018 Product data sheet1. General descriptionAutomotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunctiontechnology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed andqualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance.2

 7.1. Size:261K  nxp
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BUK7J1R0-40H

BUK7J1R4-40HN-channel 40 V, 1.4 m standard level MOSFET in LFPAK56E5 July 2018 Product data sheet1. General descriptionAutomotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunctiontechnology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed andqualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance.2

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History: TW2203FL-Y | 2SK2827-01 | 2SK1573 | 2SK3117 | IPD220N06L3G | CEP16N10 | AP65WN1K5I

 

 
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