BUK7J1R0-40H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK7J1R0-40H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1644 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm

Тип корпуса: SOT1023

Аналог (замена) для BUK7J1R0-40H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK7J1R0-40H даташит

 ..1. Size:273K  nxp
 buk7j1r0-40h.pdf pdf_icon

BUK7J1R0-40H

BUK7J1R0-40H N-channel 40 V, 1.0 m standard level MOSFET in LFPAK56E 31 May 2018 Product data sheet 1. General description Automotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunction technology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed and qualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance. 2

 7.1. Size:261K  nxp
 buk7j1r4-40h.pdf pdf_icon

BUK7J1R0-40H

BUK7J1R4-40H N-channel 40 V, 1.4 m standard level MOSFET in LFPAK56E 5 July 2018 Product data sheet 1. General description Automotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunction technology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed and qualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance. 2

Другие IGBT... BUK6D385-100E, BUK6D43-40P, BUK6D43-60E, BUK6D56-60E, BUK6D72-30E, BUK6D77-60E, BUK6D81-80E, BUK7D25-40E, AON7506, BUK7J1R4-40H, BUK7K134-100E, BUK7K15-80E, BUK7K17-80E, BUK7K23-80E, BUK7K29-100E, BUK7K32-100E, BUK7K45-100E