Справочник MOSFET. BUK7J1R0-40H

 

BUK7J1R0-40H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK7J1R0-40H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1644 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: SOT1023
 

 Аналог (замена) для BUK7J1R0-40H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK7J1R0-40H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  nxp
 buk7j1r0-40h.pdf pdf_icon

BUK7J1R0-40H

BUK7J1R0-40HN-channel 40 V, 1.0 m standard level MOSFET in LFPAK56E31 May 2018 Product data sheet1. General descriptionAutomotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunctiontechnology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed andqualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance.2

 7.1. Size:261K  nxp
 buk7j1r4-40h.pdf pdf_icon

BUK7J1R0-40H

BUK7J1R4-40HN-channel 40 V, 1.4 m standard level MOSFET in LFPAK56E5 July 2018 Product data sheet1. General descriptionAutomotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunctiontechnology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed andqualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance.2

Другие MOSFET... BUK6D385-100E , BUK6D43-40P , BUK6D43-60E , BUK6D56-60E , BUK6D72-30E , BUK6D77-60E , BUK6D81-80E , BUK7D25-40E , IRFP250 , BUK7J1R4-40H , BUK7K134-100E , BUK7K15-80E , BUK7K17-80E , BUK7K23-80E , BUK7K29-100E , BUK7K32-100E , BUK7K45-100E .

 

 
Back to Top

 


 
.