BUK7J1R4-40H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUK7J1R4-40H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 395 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1314 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm

Encapsulados: SOT1023

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BUK7J1R4-40H datasheet

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BUK7J1R4-40H

BUK7J1R4-40H N-channel 40 V, 1.4 m standard level MOSFET in LFPAK56E 5 July 2018 Product data sheet 1. General description Automotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunction technology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed and qualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance. 2

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BUK7J1R4-40H

BUK7J1R0-40H N-channel 40 V, 1.0 m standard level MOSFET in LFPAK56E 31 May 2018 Product data sheet 1. General description Automotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunction technology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed and qualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance. 2

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