Справочник MOSFET. BUK7J1R4-40H

 

BUK7J1R4-40H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BUK7J1R4-40H
   Маркировка: 71H440
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 395 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.6 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 190 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 73 nC
   Время нарастания (tr): 17 ns
   Выходная емкость (Cd): 1314 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: SOT1023

 Аналог (замена) для BUK7J1R4-40H

 

 

BUK7J1R4-40H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  nxp
 buk7j1r4-40h.pdf

BUK7J1R4-40H BUK7J1R4-40H

BUK7J1R4-40HN-channel 40 V, 1.4 m standard level MOSFET in LFPAK56E5 July 2018 Product data sheet1. General descriptionAutomotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunctiontechnology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed andqualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance.2

 7.1. Size:273K  nxp
 buk7j1r0-40h.pdf

BUK7J1R4-40H BUK7J1R4-40H

BUK7J1R0-40HN-channel 40 V, 1.0 m standard level MOSFET in LFPAK56E31 May 2018 Product data sheet1. General descriptionAutomotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunctiontechnology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed andqualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance.2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top