STP4N100FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP4N100FI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOWATT220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP4N100FI
STP4N100FI Datasheet (PDF)
stp4n100.pdf
STP4N100STP4N100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4N100 1000 V
stfw4n150 stp4n150 stw4n150.pdf
STFW4N150STP4N150, STW4N150N-channel 1500 V, 5 , 4 A, PowerMESH Power MOSFETin TO-220, TO-247, TO-3PFFeaturesType VDSS RDS(on) max ID PwSTFW4N150 1500 V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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