STP4N100FI Todos los transistores

 

STP4N100FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP4N100FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220
 

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STP4N100FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:366K  st
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STP4N100FI

STP4N100STP4N100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4N100 1000 V

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STP4N100FI

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 stfw4n150 stp4n150 stw4n150.pdf pdf_icon

STP4N100FI

STFW4N150STP4N150, STW4N150N-channel 1500 V, 5 , 4 A, PowerMESH Power MOSFETin TO-220, TO-247, TO-3PFFeaturesType VDSS RDS(on) max ID PwSTFW4N150 1500 V

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