STP4N100FI - аналоги и даташиты транзистора

 

STP4N100FI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STP4N100FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
 

 Аналог (замена) для STP4N100FI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4N100FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:366K  st
 stp4n100.pdf pdf_icon

STP4N100FI

STP4N100STP4N100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4N100 1000 V

 6.2. Size:291K  st
 stp4n100xi.pdf pdf_icon

STP4N100FI

 8.1. Size:756K  st
 stfw4n150 stp4n150 stw4n150.pdf pdf_icon

STP4N100FI

STFW4N150STP4N150, STW4N150N-channel 1500 V, 5 , 4 A, PowerMESH Power MOSFETin TO-220, TO-247, TO-3PFFeaturesType VDSS RDS(on) max ID PwSTFW4N150 1500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP3NA50FI , STP3NA80 , STP3NA80FI , STP40N05 , STP40N05FI , STP40N10 , STP40N10FI , STP4N100 , IRFB7545 , STP4N100XI , STP4N40 , STP4N40FI , STP4N80XI , STP4N90 , STP4N90FI , STP4NA60 , STP4NA60FI .

History: FY4AEJ-03 | AOTF2916L | AP9T16AGH-HF | AOTF2910L | AOTF288L | FY6ACJ-03A

 

 
Back to Top

 


 
.