STP4N100FI - описание и поиск аналогов

 

STP4N100FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP4N100FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для STP4N100FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4N100FI даташит

 6.1. Size:366K  st
 stp4n100.pdf pdf_icon

STP4N100FI

STP4N100 STP4N100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP4N100 1000 V

 6.2. Size:291K  st
 stp4n100xi.pdf pdf_icon

STP4N100FI

 8.1. Size:756K  st
 stfw4n150 stp4n150 stw4n150.pdf pdf_icon

STP4N100FI

STFW4N150 STP4N150, STW4N150 N-channel 1500 V, 5 , 4 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3PF Features Type VDSS RDS(on) max ID Pw STFW4N150 1500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP3NA50FI , STP3NA80 , STP3NA80FI , STP40N05 , STP40N05FI , STP40N10 , STP40N10FI , STP4N100 , 60N06 , STP4N100XI , STP4N40 , STP4N40FI , STP4N80XI , STP4N90 , STP4N90FI , STP4NA60 , STP4NA60FI .

History: SSS4N90AS

 

 

 


 
↑ Back to Top
.