Справочник MOSFET. STP4N100FI

 

STP4N100FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP4N100FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4N100FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:366K  st
 stp4n100.pdf pdf_icon

STP4N100FI

STP4N100STP4N100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4N100 1000 V

 6.2. Size:291K  st
 stp4n100xi.pdf pdf_icon

STP4N100FI

 8.1. Size:756K  st
 stfw4n150 stp4n150 stw4n150.pdf pdf_icon

STP4N100FI

STFW4N150STP4N150, STW4N150N-channel 1500 V, 5 , 4 A, PowerMESH Power MOSFETin TO-220, TO-247, TO-3PFFeaturesType VDSS RDS(on) max ID PwSTFW4N150 1500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP3NA50FI , STP3NA80 , STP3NA80FI , STP40N05 , STP40N05FI , STP40N10 , STP40N10FI , STP4N100 , AO3407 , STP4N100XI , STP4N40 , STP4N40FI , STP4N80XI , STP4N90 , STP4N90FI , STP4NA60 , STP4NA60FI .

History: UPA2755GR | 2SK3684-01S | 2SK3572-Z | IRL3803VSPBF | HGD077N10SL | QM6214Q | 2SJ451

 

 
Back to Top

 


 
.