BUK9D23-40E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK9D23-40E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT1220
Búsqueda de reemplazo de BUK9D23-40E MOSFET
BUK9D23-40E Datasheet (PDF)
buk9d23-40e.pdf

BUK9D23-40E40 V, N-channel Trench MOSFET13 December 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder i
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History: CSD17573Q5B | SIHFI740G | SVS7N70FD2 | STB120N10F4 | AON6667
History: CSD17573Q5B | SIHFI740G | SVS7N70FD2 | STB120N10F4 | AON6667



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