BUK9D23-40E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BUK9D23-40E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: SOT1220
Аналог (замена) для BUK9D23-40E
BUK9D23-40E Datasheet (PDF)
buk9d23-40e.pdf

BUK9D23-40E40 V, N-channel Trench MOSFET13 December 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder i
Другие MOSFET... BUK7S0R9-40H , BUK7S1R0-40H , BUK7Y1R4-40H , BUK7Y1R7-40H , BUK7Y2R0-40H , BUK7Y2R5-40H , BUK7Y3R0-40H , BUK7Y3R5-40H , IRFP064N , BUK9J0R9-40H , BUK9K20-80E , BUK9K22-80E , BUK9K30-80E , BUK9K5R1-30E , BUK9K5R6-30E , BUK9M10-30E , BUK9M11-40E .
History: STF13N60M2 | HGN028NE6AL | CS7456 | IXTQ44P15T | SI7491DP | SIHFD014
History: STF13N60M2 | HGN028NE6AL | CS7456 | IXTQ44P15T | SI7491DP | SIHFD014



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor