Справочник MOSFET. BUK9D23-40E

 

BUK9D23-40E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK9D23-40E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SOT1220
 

 Аналог (замена) для BUK9D23-40E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9D23-40E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  nxp
buk9d23-40e.pdfpdf_icon

BUK9D23-40E

BUK9D23-40E40 V, N-channel Trench MOSFET13 December 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder i

Другие MOSFET... BUK7S0R9-40H , BUK7S1R0-40H , BUK7Y1R4-40H , BUK7Y1R7-40H , BUK7Y2R0-40H , BUK7Y2R5-40H , BUK7Y3R0-40H , BUK7Y3R5-40H , IRFP064N , BUK9J0R9-40H , BUK9K20-80E , BUK9K22-80E , BUK9K30-80E , BUK9K5R1-30E , BUK9K5R6-30E , BUK9M10-30E , BUK9M11-40E .

History: STF13N60M2 | HGN028NE6AL | CS7456 | IXTQ44P15T | SI7491DP | SIHFD014

 

 
Back to Top

 


 
.