BUK9J0R9-40H Todos los transistores

 

BUK9J0R9-40H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK9J0R9-40H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1549 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00094 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT1023
 

 Búsqueda de reemplazo de BUK9J0R9-40H MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BUK9J0R9-40H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  nxp
buk9j0r9-40h.pdf pdf_icon

BUK9J0R9-40H

BUK9J0R9-40HN-channel 40 V, 0.9 m logic level MOSFET in LFPAK56E7 October 2019 Product data sheet1. General descriptionAutomotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunctiontechnology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed andqualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance.2

Otros transistores... BUK7S1R0-40H , BUK7Y1R4-40H , BUK7Y1R7-40H , BUK7Y2R0-40H , BUK7Y2R5-40H , BUK7Y3R0-40H , BUK7Y3R5-40H , BUK9D23-40E , BS170 , BUK9K20-80E , BUK9K22-80E , BUK9K30-80E , BUK9K5R1-30E , BUK9K5R6-30E , BUK9M10-30E , BUK9M11-40E , BUK9M11-40H .

History: SSM3K56FS | BRCS045N10SHBD | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | CJBM3020

 

 
Back to Top

 


 
.