BUK9J0R9-40H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK9J0R9-40H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1549 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00094 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT1023
Búsqueda de reemplazo de BUK9J0R9-40H MOSFET
BUK9J0R9-40H Datasheet (PDF)
buk9j0r9-40h.pdf

BUK9J0R9-40HN-channel 40 V, 0.9 m logic level MOSFET in LFPAK56E7 October 2019 Product data sheet1. General descriptionAutomotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunctiontechnology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed andqualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance.2
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History: 2SK1142 | FDFME2P823ZT | 2SK2167 | NCEP40PT12K | CTM04N60 | DH026N06E | SLB80R500SJ
History: 2SK1142 | FDFME2P823ZT | 2SK2167 | NCEP40PT12K | CTM04N60 | DH026N06E | SLB80R500SJ



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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