BUK9J0R9-40H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BUK9J0R9-40H
   Código: 90H940E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.05 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1549 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00094 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT1023

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BUK9J0R9-40H Datasheet (PDF)

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buk9j0r9-40h.pdf

BUK9J0R9-40HN-channel 40 V, 0.9 m logic level MOSFET in LFPAK56E7 October 2019 Product data sheet1. General descriptionAutomotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunctiontechnology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed andqualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance.2

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