BUK9J0R9-40H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BUK9J0R9-40H
   Código: 90H940E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 500 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 16 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 220 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.05 V
   Carga de la puerta (Qg): 120 nC
   Tiempo de subida (tr): 46.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1549 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.00094 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT1023

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BUK9J0R9-40H Datasheet (PDF)

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buk9j0r9-40h.pdf

BUK9J0R9-40HN-channel 40 V, 0.9 m logic level MOSFET in LFPAK56E7 October 2019 Product data sheet1. General descriptionAutomotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunctiontechnology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed andqualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance.2

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Liste

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