BUK9J0R9-40H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUK9J0R9-40H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1549 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00094 Ohm

Encapsulados: SOT1023

 Búsqueda de reemplazo de BUK9J0R9-40H MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUK9J0R9-40H datasheet

 ..1. Size:277K  nxp
 buk9j0r9-40h.pdf pdf_icon

BUK9J0R9-40H

BUK9J0R9-40H N-channel 40 V, 0.9 m logic level MOSFET in LFPAK56E 7 October 2019 Product data sheet 1. General description Automotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunction technology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed and qualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance. 2

Otros transistores... BUK7S1R0-40H, BUK7Y1R4-40H, BUK7Y1R7-40H, BUK7Y2R0-40H, BUK7Y2R5-40H, BUK7Y3R0-40H, BUK7Y3R5-40H, BUK9D23-40E, IRF730, BUK9K20-80E, BUK9K22-80E, BUK9K30-80E, BUK9K5R1-30E, BUK9K5R6-30E, BUK9M10-30E, BUK9M11-40E, BUK9M11-40H