BUK9J0R9-40H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK9J0R9-40H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1549 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00094 Ohm

Тип корпуса: SOT1023

Аналог (замена) для BUK9J0R9-40H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9J0R9-40H даташит

 ..1. Size:277K  nxp
 buk9j0r9-40h.pdf pdf_icon

BUK9J0R9-40H

BUK9J0R9-40H N-channel 40 V, 0.9 m logic level MOSFET in LFPAK56E 7 October 2019 Product data sheet 1. General description Automotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunction technology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed and qualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance. 2

Другие IGBT... BUK7S1R0-40H, BUK7Y1R4-40H, BUK7Y1R7-40H, BUK7Y2R0-40H, BUK7Y2R5-40H, BUK7Y3R0-40H, BUK7Y3R5-40H, BUK9D23-40E, IRF730, BUK9K20-80E, BUK9K22-80E, BUK9K30-80E, BUK9K5R1-30E, BUK9K5R6-30E, BUK9M10-30E, BUK9M11-40E, BUK9M11-40H