BUK9J0R9-40H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: BUK9J0R9-40H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1549 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00094 Ohm
   Тип корпуса: SOT1023
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам