BUK9J0R9-40H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BUK9J0R9-40H
Маркировка: 90H940E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.05 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 220 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 120 nC
Время нарастания (tr): 46.2 ns
Выходная емкость (Cd): 1549 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00094 Ohm
Тип корпуса: SOT1023
Аналог (замена) для BUK9J0R9-40H
BUK9J0R9-40H Datasheet (PDF)
..1. Size:277K nxp
buk9j0r9-40h.pdf
buk9j0r9-40h.pdf
BUK9J0R9-40HN-channel 40 V, 0.9 m logic level MOSFET in LFPAK56E7 October 2019 Product data sheet1. General descriptionAutomotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunctiontechnology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed andqualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance.2
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: NTMFS5C612NLT1G
