STP4N90 Todos los transistores

 

STP4N90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP4N90

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP4N90 datasheet

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STP4N90

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STP4N90

STP4N90K5 N-channel 900 V, 1.90 typ.,3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D TAB STP4N90K5 900 V 2.10 3 A Industry s lowest R x area DS(on) Industry s best FoM (figure of merit) 3 2 Ultra-low gate charge 1 100% avalanche tested TO-220 Zener-protected Appl

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STP4N90

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STP4N90

STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V

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