Справочник MOSFET. STP4N90

 

STP4N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP4N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP4N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  st
stp4n90.pdfpdf_icon

STP4N90

 0.1. Size:725K  st
stp4n90k5.pdfpdf_icon

STP4N90

STP4N90K5 N-channel 900 V, 1.90 typ.,3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DTABSTP4N90K5 900 V 2.10 3 A Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best FoM (figure of merit) 32 Ultra-low gate charge 1 100% avalanche tested TO-220 Zener-protected Appl

 0.2. Size:319K  st
stp4n90fi.pdfpdf_icon

STP4N90

 9.1. Size:664K  st
stp4nk50z.pdfpdf_icon

STP4N90

STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQD3N60CTMWS

 

 
Back to Top

 


 
.