STP4N90 - описание и поиск аналогов

 

STP4N90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP4N90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP4N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4N90 даташит

 ..1. Size:324K  st
stp4n90.pdfpdf_icon

STP4N90

 0.1. Size:725K  st
stp4n90k5.pdfpdf_icon

STP4N90

STP4N90K5 N-channel 900 V, 1.90 typ.,3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D TAB STP4N90K5 900 V 2.10 3 A Industry s lowest R x area DS(on) Industry s best FoM (figure of merit) 3 2 Ultra-low gate charge 1 100% avalanche tested TO-220 Zener-protected Appl

 0.2. Size:319K  st
stp4n90fi.pdfpdf_icon

STP4N90

 9.1. Size:664K  st
stp4nk50z.pdfpdf_icon

STP4N90

STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V

Другие MOSFET... STP40N10 , STP40N10FI , STP4N100 , STP4N100FI , STP4N100XI , STP4N40 , STP4N40FI , STP4N80XI , IRF3205 , STP4N90FI , STP4NA60 , STP4NA60FI , STP4NA80 , STP4NA80FI , STP50N05L , STP50N05LFI , STP50N06 .

History: STP4N40

 

 

 


 
↑ Back to Top
.