GAN063-650WSA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GAN063-650WSA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 143 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 34.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT429
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GAN063-650WSA
GAN063-650WSA Datasheet (PDF)
gan063-650wsa.pdf
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GAN063-650WSA650 V, 50 m Gallium Nitride (GaN) FET20 March 2020 Product data sheet1. General descriptionThe GAN063-650WSA is a 650 V, 50 m Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device thatcombines Nexperias state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFETtechnologies offering superior reliability and performance.2. Features and benefits
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