Справочник MOSFET. GAN063-650WSA

 

GAN063-650WSA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GAN063-650WSA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT429
 

 Аналог (замена) для GAN063-650WSA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GAN063-650WSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  nxp
 gan063-650wsa.pdf pdf_icon

GAN063-650WSA

GAN063-650WSA650 V, 50 m Gallium Nitride (GaN) FET20 March 2020 Product data sheet1. General descriptionThe GAN063-650WSA is a 650 V, 50 m Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device thatcombines Nexperias state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFETtechnologies offering superior reliability and performance.2. Features and benefits

Другие MOSFET... BUK9M8R5-40H , BUK9M9R1-40E , BUK9M9R5-40H , BUK9Y1R3-40H , BUK9Y1R6-40H , BUK9Y1R9-40H , BUK9Y2R4-40H , BUK9Y2R8-40H , IRFB3607 , NX138AK , NX138AKS , NX138BK , NX138BKS , NX138BKW , NX3008NBKMB , NX3008PBKMB , NX3020NAKS .

History: AOTE32136C | 2SK2101-01MR | BSC123N08NS3G | CEP84A4 | IRFP9133 | RHP030N03T100 | AM5931P

 

 
Back to Top

 


 
.