GAN063-650WSA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GAN063-650WSA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 143 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 34.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 130 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOT429
Аналог (замена) для GAN063-650WSA
GAN063-650WSA Datasheet (PDF)
..1. Size:282K nxp
gan063-650wsa.pdf
gan063-650wsa.pdf
GAN063-650WSA650 V, 50 m Gallium Nitride (GaN) FET20 March 2020 Product data sheet1. General descriptionThe GAN063-650WSA is a 650 V, 50 m Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device thatcombines Nexperias state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFETtechnologies offering superior reliability and performance.2. Features and benefits
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
