Справочник MOSFET. GAN063-650WSA

 

GAN063-650WSA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GAN063-650WSA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT429

 Аналог (замена) для GAN063-650WSA

 

 

GAN063-650WSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  nxp
 gan063-650wsa.pdf

GAN063-650WSA GAN063-650WSA

GAN063-650WSA650 V, 50 m Gallium Nitride (GaN) FET20 March 2020 Product data sheet1. General descriptionThe GAN063-650WSA is a 650 V, 50 m Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device thatcombines Nexperias state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFETtechnologies offering superior reliability and performance.2. Features and benefits

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top