GAN063-650WSA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GAN063-650WSA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT429

Аналог (замена) для GAN063-650WSA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GAN063-650WSA даташит

 ..1. Size:282K  nxp
 gan063-650wsa.pdf pdf_icon

GAN063-650WSA

Другие IGBT... BUK9M8R5-40H, BUK9M9R1-40E, BUK9M9R5-40H, BUK9Y1R3-40H, BUK9Y1R6-40H, BUK9Y1R9-40H, BUK9Y2R4-40H, BUK9Y2R8-40H, K4145, NX138AK, NX138AKS, NX138BK, NX138BKS, NX138BKW, NX3008NBKMB, NX3008PBKMB, NX3020NAKS