STP4NA80 Todos los transistores

 

STP4NA80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP4NA80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de STP4NA80 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STP4NA80 datasheet

 ..1. Size:383K  st
 stp4na80.pdf pdf_icon

STP4NA80

STP4NA80 STP4NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NA80 800 V

 0.1. Size:391K  st
 stp4na80-fi.pdf pdf_icon

STP4NA80

STP4NA80 STP4NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NA80 800 V

 8.1. Size:96K  st
 stp4na60fp.pdf pdf_icon

STP4NA80

STP4NA60FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP4NA60FP 600 V

 8.2. Size:239K  st
 stp4na90 stp4na90fi.pdf pdf_icon

STP4NA80

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STP4N100XI , STP4N40 , STP4N40FI , STP4N80XI , STP4N90 , STP4N90FI , STP4NA60 , STP4NA60FI , IRF540N , STP4NA80FI , STP50N05L , STP50N05LFI , STP50N06 , STP50N06FI , STP50N06L , STP50N06LFI , STP53N05 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.