STP4NA80 - описание и поиск аналогов

 

STP4NA80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP4NA80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP4NA80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4NA80 даташит

 ..1. Size:383K  st
 stp4na80.pdf pdf_icon

STP4NA80

STP4NA80 STP4NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NA80 800 V

 0.1. Size:391K  st
 stp4na80-fi.pdf pdf_icon

STP4NA80

STP4NA80 STP4NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NA80 800 V

 8.1. Size:96K  st
 stp4na60fp.pdf pdf_icon

STP4NA80

STP4NA60FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP4NA60FP 600 V

 8.2. Size:239K  st
 stp4na90 stp4na90fi.pdf pdf_icon

STP4NA80

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP4N100XI , STP4N40 , STP4N40FI , STP4N80XI , STP4N90 , STP4N90FI , STP4NA60 , STP4NA60FI , IRF540N , STP4NA80FI , STP50N05L , STP50N05LFI , STP50N06 , STP50N06FI , STP50N06L , STP50N06LFI , STP53N05 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.