NX3020NAKW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NX3020NAKW
   Código: *3A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NX3020NAKW

NX3020NAKW Datasheet (PDF)

..1. Size:712K nxp
nx3020nakw.pdf

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5.1. Size:249K nxp
nx3020nak.pdf

NX3020NAK30 V, single N-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection Low threshold volt

5.2. Size:702K nxp
nx3020nakv.pdf

NX3020NAKV30 V, 200 mA dual N-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a ultra small and flatlead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection

5.3. Size:715K nxp
nx3020naks.pdf

NX3020NAKS30 V, 180 mA dual N-channel Trench MOSFET11 November 2013 Product data sheet1. General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363(SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection Low

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