Справочник MOSFET. NX3020NAKW

 

NX3020NAKW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NX3020NAKW
   Маркировка: *3A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.26 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.18 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 0.34 nC
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 2.6 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT323

 Аналог (замена) для NX3020NAKW

 

 

NX3020NAKW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:712K  nxp
 nx3020nakw.pdf

NX3020NAKW NX3020NAKW

NX3020NAKW30 V, 180 mA N-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection Low threshold voltag

 5.1. Size:249K  nxp
 nx3020nak.pdf

NX3020NAKW NX3020NAKW

NX3020NAK30 V, single N-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection Low threshold volt

 5.2. Size:702K  nxp
 nx3020nakv.pdf

NX3020NAKW NX3020NAKW

NX3020NAKV30 V, 200 mA dual N-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a ultra small and flatlead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection

 5.3. Size:715K  nxp
 nx3020naks.pdf

NX3020NAKW NX3020NAKW

NX3020NAKS30 V, 180 mA dual N-channel Trench MOSFET11 November 2013 Product data sheet1. General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363(SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection Low

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top