NX6020CAKS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NX6020CAKS
Código: 2A*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.22 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.17 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.1 V
Carga de la puerta (Qg): 0.33 nC
Tiempo de subida (tr): 7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3.4 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT363
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NX6020CAKS Datasheet (PDF)
..1. Size:308K nxp
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NX6020CAKS60 V / 50 V, 170 mA / 160 mA N/P-channel Trench MOSFET18 January 2018 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very smallSOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching
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