NX6020CAKS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NX6020CAKS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.22 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm

Encapsulados: SOT363

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NX6020CAKS datasheet

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NX6020CAKS

NX6020CAKS 60 V / 50 V, 170 mA / 160 mA N/P-channel Trench MOSFET 18 January 2018 Product data sheet 1. General description Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching

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