NX6020CAKS Todos los transistores

 

NX6020CAKS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NX6020CAKS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.22 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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NX6020CAKS Datasheet (PDF)

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NX6020CAKS

NX6020CAKS60 V / 50 V, 170 mA / 160 mA N/P-channel Trench MOSFET18 January 2018 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very smallSOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching

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History: AP9920GEO | IPB80N04S2-H4 | DH850N10I

 

 
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