NX6020CAKS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NX6020CAKS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.22 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для NX6020CAKS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NX6020CAKS даташит

 ..1. Size:308K  nxp
 nx6020caks.pdf pdf_icon

NX6020CAKS

NX6020CAKS 60 V / 50 V, 170 mA / 160 mA N/P-channel Trench MOSFET 18 January 2018 Product data sheet 1. General description Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching

Другие IGBT... NX138BK, NX138BKS, NX138BKW, NX3008NBKMB, NX3008PBKMB, NX3020NAKS, NX3020NAKV, NX3020NAKW, AON7506, NX7002AKA, NX7002BKH, PMCM4401UNE, PMCM4401UPE, PMCM4402UPE, PMCM6501UNE, PMCM6501UPE, PMCM6501VNE