STP4NA80FI Todos los transistores

 

STP4NA80FI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP4NA80FI

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: ISOWATT220

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STP4NA80FI datasheet

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STP4NA80FI

STP4NA80 STP4NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NA80 800 V

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STP4NA80FI

STP4NA80 STP4NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NA80 800 V

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STP4NA80FI

STP4NA60FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP4NA60FP 600 V

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STP4NA80FI

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History: FDPF085N10A | FQU13N06L | STP50N05L

 

 

 


 
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