STP4NA80FI Todos los transistores

 

STP4NA80FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP4NA80FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP4NA80FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:383K  st
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STP4NA80FI

STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V

 6.2. Size:391K  st
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STP4NA80FI

STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V

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STP4NA80FI

STP4NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP4NA60FP 600 V

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STP4NA80FI

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History: AON7400 | FQD5N15TF | IXFR80N60P3 | IXFK48N50Q | APT6025BVR | 2N7064 | AONR21321

 

 
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