Справочник MOSFET. STP4NA80FI

 

STP4NA80FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP4NA80FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
 

 Аналог (замена) для STP4NA80FI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4NA80FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:383K  st
 stp4na80.pdf pdf_icon

STP4NA80FI

STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V

 6.2. Size:391K  st
 stp4na80-fi.pdf pdf_icon

STP4NA80FI

STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V

 8.1. Size:96K  st
 stp4na60fp.pdf pdf_icon

STP4NA80FI

STP4NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP4NA60FP 600 V

 8.2. Size:239K  st
 stp4na90 stp4na90fi.pdf pdf_icon

STP4NA80FI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP4N40 , STP4N40FI , STP4N80XI , STP4N90 , STP4N90FI , STP4NA60 , STP4NA60FI , STP4NA80 , IRF540N , STP50N05L , STP50N05LFI , STP50N06 , STP50N06FI , STP50N06L , STP50N06LFI , STP53N05 , STP53N06 .

History: IRF1010NPBF

 

 
Back to Top

 


 
.