PMCM950ENE Todos los transistores

 

PMCM950ENE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMCM950ENE
   Código: A1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP9
     - Selección de transistores por parámetros

 

PMCM950ENE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:470K  nxp
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PMCM950ENE

PMCM950ENE60 V, N-channel Trench MOSFET13 May 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 9 bumps Wafer Level Chip-SizePackage (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 1.48 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Disch

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