PMCM950ENE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMCM950ENE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: WLCSP9

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PMCM950ENE datasheet

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PMCM950ENE

PMCM950ENE 60 V, N-channel Trench MOSFET 13 May 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 9 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package 1.48 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Disch

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