PMCM950ENE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMCM950ENE
Código: A1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
Paquete / Cubierta: WLCSP9
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PMCM950ENE Datasheet (PDF)
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PMCM950ENE60 V, N-channel Trench MOSFET13 May 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 9 bumps Wafer Level Chip-SizePackage (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 1.48 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Disch
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