PMCM950ENE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMCM950ENE
Маркировка: A1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
Тип корпуса: WLCSP9
Аналог (замена) для PMCM950ENE
PMCM950ENE Datasheet (PDF)
..1. Size:470K nxp
pmcm950ene.pdf
pmcm950ene.pdf
PMCM950ENE60 V, N-channel Trench MOSFET13 May 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 9 bumps Wafer Level Chip-SizePackage (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 1.48 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Disch
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
