PMCM950ENE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMCM950ENE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: WLCSP9

Аналог (замена) для PMCM950ENE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMCM950ENE даташит

 ..1. Size:470K  nxp
 pmcm950ene.pdf pdf_icon

PMCM950ENE

PMCM950ENE 60 V, N-channel Trench MOSFET 13 May 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 9 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package 1.48 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Disch

Другие IGBT... NX7002BKH, PMCM4401UNE, PMCM4401UPE, PMCM4402UPE, PMCM6501UNE, PMCM6501UPE, PMCM6501VNE, PMCM650CUNE, 10N65, PMCXB1000UE, PMCXB900UEL, PMDPB56XNEA, PMDPB95XNE2, PMDXB600UNEL, PMDXB950UPEL, PMF250XNE, PMF63UNE