Справочник MOSFET. PMCM950ENE

 

PMCM950ENE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMCM950ENE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP9

 Аналог (замена) для PMCM950ENE

 

 

PMCM950ENE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:470K  nxp
 pmcm950ene.pdf

PMCM950ENE PMCM950ENE

PMCM950ENE60 V, N-channel Trench MOSFET13 May 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 9 bumps Wafer Level Chip-SizePackage (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 1.48 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Disch

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top