PMCXB1000UE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMCXB1000UE
   Código: B101
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.285 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.59 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.95 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.67 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT1216

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMCXB1000UE

PMCXB1000UE Datasheet (PDF)

..1. Size:775K nxp
pmcxb1000ue.pdf

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9.1. Size:795K nxp
pmcxb900uel.pdf

PMCXB900UEL20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET28 June 2016 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in aleadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology

9.2. Size:312K nxp
pmcxb900ue.pdf

PMCXB900UE20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET30 June 2015 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in aleadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold vo

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Liste

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