Справочник MOSFET. PMCXB1000UE

 

PMCXB1000UE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMCXB1000UE
   Маркировка: B101
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.285 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.95 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.59 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 0.6 nC
   Время нарастания (tr): 7 ns
   Выходная емкость (Cd): 5.8 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.67 Ohm
   Тип корпуса: SOT1216

 Аналог (замена) для PMCXB1000UE

 

 

PMCXB1000UE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:775K  nxp
pmcxb1000ue.pdf

PMCXB1000UE PMCXB1000UE

PMCXB1000UE30 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET27 June 2016 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultrasmall DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold v

 9.1. Size:795K  nxp
pmcxb900uel.pdf

PMCXB1000UE PMCXB1000UE

PMCXB900UEL20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET28 June 2016 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in aleadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology

 9.2. Size:312K  nxp
pmcxb900ue.pdf

PMCXB1000UE PMCXB1000UE

PMCXB900UE20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET30 June 2015 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in aleadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold vo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top