PMF63UNE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMF63UNE
   Código: Z*V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 3.9 nC
   Tiempo de subida (tr): 27 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 51 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMF63UNE

PMF63UNE Datasheet (PDF)

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7.1. Size:863K nxp
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PMF63UN20 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 22 March 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast

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Liste

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