Справочник MOSFET. PMF63UNE

 

PMF63UNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMF63UNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для PMF63UNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF63UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:712K  nxp
 pmf63une.pdf pdf_icon

PMF63UNE

PMF63UNE20 V, N-channel Trench MOSFET20 April 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323(SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage ElectroStatic Discharge (ESD) protection >

 7.1. Size:863K  nxp
 pmf63un.pdf pdf_icon

PMF63UNE

PMF63UN20 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 22 March 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast

Другие MOSFET... PMCM950ENE , PMCXB1000UE , PMCXB900UEL , PMDPB56XNEA , PMDPB95XNE2 , PMDXB600UNEL , PMDXB950UPEL , PMF250XNE , IRFB31N20D , PMH1200UPE , PMH950UPE , PMN120ENE , PMN120ENEA , PMN16XNE , PMN20ENA , PMN230ENE , PMN230ENEA .

History: DMP2018LFK | PMDPB56XNEA | UT60N03G-TND-R | AFN4946BW | IXKN40N60C | ME3587-G

 

 
Back to Top

 


 
.