PMH1200UPE Todos los transistores

 

PMH1200UPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMH1200UPE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT8001
 

 Búsqueda de reemplazo de PMH1200UPE MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PMH1200UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  nxp
 pmh1200upe.pdf pdf_icon

PMH1200UPE

PMH1200UPE30 V, P-channel Trench MOSFET4 March 2019 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3(SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology Ele

Otros transistores... PMCXB1000UE , PMCXB900UEL , PMDPB56XNEA , PMDPB95XNE2 , PMDXB600UNEL , PMDXB950UPEL , PMF250XNE , PMF63UNE , IRF2807 , PMH950UPE , PMN120ENE , PMN120ENEA , PMN16XNE , PMN20ENA , PMN230ENE , PMN230ENEA , PMN25ENE .

History: FQB5N30TM | AP01L60J-HF | FQI9N50CTU | HGS090NE6A | CEB14N5 | IPD50N04S4-08 | IPD220N06L3G

 

 
Back to Top

 


 
.