PMH1200UPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PMH1200UPE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.52 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: SOT8001
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PMH1200UPE Datasheet (PDF)
pmh1200upe.pdf

PMH1200UPE30 V, P-channel Trench MOSFET4 March 2019 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3(SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology Ele
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SSF4203 | AP4604IN | 2SK1637 | 2SK1471 | STD14NM50N | IRLSZ34A | IRL8113LPBF
History: SSF4203 | AP4604IN | 2SK1637 | 2SK1471 | STD14NM50N | IRLSZ34A | IRL8113LPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015