Справочник MOSFET. PMH1200UPE

 

PMH1200UPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMH1200UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT8001
 

 Аналог (замена) для PMH1200UPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMH1200UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  nxp
 pmh1200upe.pdf pdf_icon

PMH1200UPE

PMH1200UPE30 V, P-channel Trench MOSFET4 March 2019 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3(SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology Ele

Другие MOSFET... PMCXB1000UE , PMCXB900UEL , PMDPB56XNEA , PMDPB95XNE2 , PMDXB600UNEL , PMDXB950UPEL , PMF250XNE , PMF63UNE , IRF2807 , PMH950UPE , PMN120ENE , PMN120ENEA , PMN16XNE , PMN20ENA , PMN230ENE , PMN230ENEA , PMN25ENE .

History: MDP6N60TH | IXTH140P05T | AOK53S60 | IXFT70N20Q3 | BSS138N

 

 
Back to Top

 


 
.