PMH950UPE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMH950UPE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.53 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: SOT8001

 Búsqueda de reemplazo de PMH950UPE MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PMH950UPE datasheet

 ..1. Size:267K  nxp
pmh950upe.pdf pdf_icon

PMH950UPE

PMH950UPE 20 V, P-channel Trench MOSFET 5 April 2019 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology Elec

Otros transistores... PMCXB900UEL, PMDPB56XNEA, PMDPB95XNE2, PMDXB600UNEL, PMDXB950UPEL, PMF250XNE, PMF63UNE, PMH1200UPE, IRFZ24N, PMN120ENE, PMN120ENEA, PMN16XNE, PMN20ENA, PMN230ENE, PMN230ENEA, PMN25ENE, PMN25ENEA