Справочник MOSFET. PMH950UPE

 

PMH950UPE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMH950UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.95 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.53 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.29 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT8001

 Аналог (замена) для PMH950UPE

 

 

PMH950UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  nxp
 pmh950upe.pdf

PMH950UPE PMH950UPE

PMH950UPE20 V, P-channel Trench MOSFET5 April 2019 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3(SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology Elec

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top