PMH950UPE - аналоги и даташиты транзистора

 

PMH950UPE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMH950UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.53 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT8001
 

 Аналог (замена) для PMH950UPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMH950UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  nxp
 pmh950upe.pdf pdf_icon

PMH950UPE

PMH950UPE20 V, P-channel Trench MOSFET5 April 2019 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3(SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology Elec

Другие MOSFET... PMCXB900UEL , PMDPB56XNEA , PMDPB95XNE2 , PMDXB600UNEL , PMDXB950UPEL , PMF250XNE , PMF63UNE , PMH1200UPE , IRFZ24N , PMN120ENE , PMN120ENEA , PMN16XNE , PMN20ENA , PMN230ENE , PMN230ENEA , PMN25ENE , PMN25ENEA .

History: STB3NK60Z | IRFIZ46N

 

 
Back to Top

 


 
.