PMN230ENEA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMN230ENEA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.222 Ohm

Encapsulados: TSOP6

 Búsqueda de reemplazo de PMN230ENEA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PMN230ENEA datasheet

 ..1. Size:265K  nxp
 pmn230enea.pdf pdf_icon

PMN230ENEA

PMN230ENEA 60 V, N-channel Trench MOSFET 26 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology

 5.1. Size:274K  nxp
 pmn230ene.pdf pdf_icon

PMN230ENEA

PMN230ENE 60 V, N-channel Trench MOSFET 16 April 2018 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Dischar

Otros transistores... PMF63UNE, PMH1200UPE, PMH950UPE, PMN120ENE, PMN120ENEA, PMN16XNE, PMN20ENA, PMN230ENE, IRFB31N20D, PMN25ENE, PMN25ENEA, PMN280ENEA, PMN28UNE, PMN30ENEA, PMN30UN, PMN30UNE, PMN30XP