PMN230ENEA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMN230ENEA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.222 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для PMN230ENEA
PMN230ENEA Datasheet (PDF)
pmn230enea.pdf
PMN230ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET26 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology
pmn230ene.pdf
PMN230ENE60 V, N-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Dischar
Другие MOSFET... PMF63UNE , PMH1200UPE , PMH950UPE , PMN120ENE , PMN120ENEA , PMN16XNE , PMN20ENA , PMN230ENE , IRFB31N20D , PMN25ENE , PMN25ENEA , PMN280ENEA , PMN28UNE , PMN30ENEA , PMN30UN , PMN30UNE , PMN30XP .
History: NDUL03N150CG | SWF7N60K | IRFR3706CPBF
History: NDUL03N150CG | SWF7N60K | IRFR3706CPBF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304



