STP50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP50N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP50N06
STP50N06 Datasheet (PDF)
stp50n06.pdf
STP50N06STP50N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06 60 V
stp50n06l.pdf
STP50N06LSTP50N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06L 60 V
stp50n06-.pdf
STP50N06STP50N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP50N06 60 V
stp50n06l-fi.pdf
STP50N06LSTP50N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06L 60 V
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Liste
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