STP50N06 Todos los transistores

 

STP50N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP50N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP50N06 datasheet

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STP50N06

STP50N06 STP50N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP50N06 60 V

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STP50N06

STP50N06L STP50N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP50N06L 60 V

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STP50N06

STP50N06 STP50N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP50N06 60 V

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STP50N06

STP50N06L STP50N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP50N06L 60 V

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History: FDP085N10A

 

 

 


 
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