STP50N06 - аналоги и даташиты транзистора

 

STP50N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STP50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP50N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  st
 stp50n06.pdf pdf_icon

STP50N06

STP50N06STP50N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06 60 V

 0.1. Size:397K  st
 stp50n06l.pdf pdf_icon

STP50N06

STP50N06LSTP50N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06L 60 V

 0.2. Size:201K  st
 stp50n06-.pdf pdf_icon

STP50N06

STP50N06STP50N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP50N06 60 V

 0.3. Size:404K  st
 stp50n06l-fi.pdf pdf_icon

STP50N06

STP50N06LSTP50N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06L 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP4N90 , STP4N90FI , STP4NA60 , STP4NA60FI , STP4NA80 , STP4NA80FI , STP50N05L , STP50N05LFI , IRF640 , STP50N06FI , STP50N06L , STP50N06LFI , STP53N05 , STP53N06 , STP55N05L , STP55N05LFI , STP55N06L .

 

 
Back to Top

 


 
.