STP50N06 - описание и поиск аналогов

 

STP50N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP50N06 даташит

 ..1. Size:396K  st
 stp50n06.pdf pdf_icon

STP50N06

STP50N06 STP50N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP50N06 60 V

 0.1. Size:397K  st
 stp50n06l.pdf pdf_icon

STP50N06

STP50N06L STP50N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP50N06L 60 V

 0.2. Size:201K  st
 stp50n06-.pdf pdf_icon

STP50N06

STP50N06 STP50N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP50N06 60 V

 0.3. Size:404K  st
 stp50n06l-fi.pdf pdf_icon

STP50N06

STP50N06L STP50N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP50N06L 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP4N90 , STP4N90FI , STP4NA60 , STP4NA60FI , STP4NA80 , STP4NA80FI , STP50N05L , STP50N05LFI , IRFZ44 , STP50N06FI , STP50N06L , STP50N06LFI , STP53N05 , STP53N06 , STP55N05L , STP55N05LFI , STP55N06L .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.